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隔離/非隔離:一般隔離電源如做成15W，放在LED燈管內(nèi)，其變壓器體積很大，很難放進去。尤其對T6/T8燈管，幾乎不可能的，所以隔離的一般只能做到10W,超過10W的很少，并且價格很貴。所以，隔離的性價比不高，一般是非隔離的占主流較多，體積可以做得更小，zui小可以做到高8毫米，實際上，非隔離的安全措施做好了，是不存在問題的。電源效率與功率因素:功率因素是有功功率和總功率的比值(C，北京飛利浦led投光燈led，剩下的無功功率在電網(wǎng)中相互轉(zhuǎn)化，用戶的電表不會計量無功功率的，北京飛利浦led投光燈led，北京飛利浦led投光燈led，對用戶的電表沒任何影響，只是供電局收不到用戶無功功率的錢。對于LED顯示屏的品質(zhì)影響起著主導作用。北京飛利浦led投光燈led

靜電是一種危害極大的魔鬼，全世界因為靜電損壞的電子元器件不計其數(shù)，造成數(shù)千萬美元的經(jīng)濟損失。所以防止靜電損壞電子元器件，是電子行業(yè)一項很重要的工作，LED封裝、應用的企業(yè)千萬不要掉以輕心。任何一個環(huán)節(jié)出問題，都將造成對LED的損害，使LED性能變壞甚至失效。我們知道人體（ESD）靜電可以達到三千伏左右，足可以將LED芯片擊穿損壞，在LED封裝生產(chǎn)線，各類設備的接地電阻是否符合要求，這也是很重要的，一般要求接地電阻為4歐姆，有些要求高的場合其接地電阻甚至要達到≤2歐姆。河北投光燈批發(fā)廠家按1000小時常溫點亮20mA標準，紅色衰減應小于2%，藍、綠色衰減應小于10%。

LED手電簡發(fā)光二極管是由III-IV族化合物，如GaAs(砷化鎵)、GaP(磷化鎵)、GaAsP(磷砷化鎵)等半導體制成的，其的是PN結。因此它具有一般P-N結的I-N特性，即正向?qū)?，反向截止、擊穿特性。此外，?-定條件下，它還具有發(fā)光特性。在正向電壓下，電子由N區(qū)注入P區(qū)，空穴由P區(qū)注入N區(qū)。進入對方區(qū)域的少數(shù)載流子(少子)一部分與多數(shù)載流子(多子)復合而發(fā)光，假設發(fā)光是在P區(qū)中發(fā)生的，那么注入的電子與價帶空穴直接復合而發(fā)光，或者先被發(fā)光中心捕獲后，再與空穴復合發(fā)光。

LED日光燈優(yōu)缺點點評zui近以來，led日光燈成為zui早進入室內(nèi)的LED燈具之一，因為它相對于熒光燈來說具有很多優(yōu)點。一．優(yōu)點相對于熒光燈來說，led日光燈具有的優(yōu)點:1.發(fā)光效率高:熒光燈的發(fā)光效率大約是55-80lm/W(Philips公司T8熒光燈的發(fā)光效率為72lm/W)，而LED的發(fā)光效率在100lm/W以上，zui近Cree公司的XLampXP-G的發(fā)光效率已經(jīng)到130流明/W，而且以后還會不斷提升。二者之差現(xiàn)在已經(jīng)將近一倍。而以后有可能達到3倍以上。2.燈具效率高:燈具的效率主要是指有效光效，因為熒光燈是360交通信號燈主要用超高亮度紅、綠、黃色LED,因為采用LED信號燈既節(jié)能，可靠性又高。

―從發(fā)光強度角分布圖來分有三類:(1）高指向性。一般為尖頭環(huán)氧封裝，或是帶金屬反射腔封裝，且不加散射劑。半值角為5°～20°或更小，具有很高的指向性，可作局部照明光源用，或與光檢出器聯(lián)用以組成自動檢測系統(tǒng)。(2）標準型。通常作指示燈用，其半值角為20°~45°。(3）散射型。這是視角較大的指示燈，半值角為45°~90°或更大，散射劑的量較大。3、按發(fā)光二極管的結構分―按發(fā)光二極管的結構分有全環(huán)氧包封、金屬底座環(huán)氧封裝、陶瓷底座環(huán)氧封裝及玻璃封裝等結構?？碙ED燈用的芯片和生產(chǎn)工藝，用眼睛是看不出來區(qū)別的。北京1688投光燈具

看LED燈帶表面的清潔度。如果采用SMT工藝生產(chǎn)的LED燈帶，其表面的清潔度非常好，看不到什么雜質(zhì)和污漬。北京飛利浦led投光燈led

除了這種發(fā)光復合外，還有些電子被非發(fā)光中心(這個中心介于導帶、介帶中間附近)捕獲，而后再與空穴復合，每次釋放的能量不大，不能形成可見光。發(fā)光的復合量相對于非發(fā)光復合量的比例越大，光量子效率越高。由于復合是在少子擴散區(qū)內(nèi)發(fā)光的，所以光的在靠近PN結面數(shù)μm以內(nèi)產(chǎn)生。理論和實踐證明，光的峰值波長λ與發(fā)光區(qū)域的半導體材料禁帶寬度Eg有關，即入≈1240/Eg(mm)式中Eg的單位為電子伏特(eV)。若能產(chǎn)生可見光(波長在380nm紫光~780nm紅光)，半導體材料的Eg應在3.26~1.63eV之間。北京飛利浦led投光燈led

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