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北京1688投光燈鎮(zhèn)流器「上海先盛照明電器供應」
  • 產(chǎn)品價格: 面議
  • 所屬行業(yè): 筒燈
  • 瀏覽次數(shù): 10次
  • 更新時間: 2024-05-22 15:06:02
產(chǎn)品信息

而效率(y則是輸出功率和輸入功率的比值,即輸出功率(輸出LED的電壓*輸出電流/輸入功率,這個參數(shù)尤為重要,涉及到產(chǎn)品和用戶的利益,如果效率低就意味著輸入功率有很大一部分轉化為熱量散發(fā)出來;如果是裝在燈管內就會產(chǎn)生一個很高的溫度,再加.上我們LED的一個光效比所散發(fā)熱.量,就會疊加產(chǎn)生更高的溫度。而我們的電源內部所有電子零件的壽命都會隨溫度的上升而縮短.效率高,轉化成光的效率就高,而且電源和燈管的發(fā)熱就會減少,相當于省電,產(chǎn)品性能和壽命會提高。所以說效率是決定電源壽命根本的因數(shù),效率不能太低,否則消耗在電源上的熱量太大。一般在0.8-0.9以上就可以了。功率因素,效率這兩個指標有時會投光燈,就選上海先盛照明電器有限公司,用戶的信賴之選,歡迎您的來電哦!北京1688投光燈鎮(zhèn)流器

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這種現(xiàn)象屢見不鮮。有些小企業(yè)采用手工焊接,使用40瓦普通烙鐵,焊接溫度無法控制,烙鐵溫度在300-400°℃以上,過高的焊接溫度也會造成死燈,LED引線在高溫下膨脹系數(shù)比在150℃左右的膨脹系數(shù)高好幾倍,內部的金絲焊點會因為過大的熱脹冷縮將焊接點拉開,造成死燈現(xiàn)象。2、LED燈內部連線焊點開路造成死燈現(xiàn)象的原因分析2.1封裝企業(yè)生產(chǎn)工藝不建全,來料檢驗手段落后,是造成LED死燈的直接原因,一般采用支架排封裝的LED,支架排是采用銅或鐵金屬材料經(jīng)精密模具沖壓而成北京1688投光燈鎮(zhèn)流器上海先盛照明電器有限公司是一家專業(yè)提供投光燈的公司,期待您的光臨!

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而熒光燈都是采用易碎的玻璃作為外殼,一旦玻璃破碎,其中的汞就會馬上就會蒸發(fā)到空氣中,瞬間可使周圍的空氣中的汞濃度達到10-20毫克/立方米,超過國家規(guī)定的1000-2000倍。而汞是一種對人體十分有害的有毒物質,汞蒸氣達0.04至3毫克時會使人在2至3月內慢性中毒,達1.2至8.5毫克時會誘發(fā)急性汞中毒,如若其量達到20毫克,會直接導致動物死亡。而1mg的汞就足以污染5454.5公斤的飲用水,使之達不到飲用標準。而LED日光燈中不含任何有毒物質,是一種完全綠的環(huán)保無污染光源。

度發(fā)光的,而在反方向發(fā)出的光就沒有什么用處。所以熒光燈通常采用一個白的的燈罩,可以把相當一部分的反向光反射回來,一般來說,熒光燈的燈具效率大約只有70%。而LED日光燈則是120度發(fā)光的,所以全部光都是有效光。雖然有時候也會覺得120度發(fā)光角度窄了一點,不過大多數(shù)情況下還是夠用的。而且這個發(fā)光角度也是可以根據(jù)需要來加以調整的。前面提到Philips的T8熒光燈的發(fā)光效率為721m/W,36W的熒光燈一共發(fā)出2592流明,但是燈具效率只有70%,所以有效的流明數(shù)為1814.4上海先盛照明電器有限公司為您提供投光燈,期待為您服務!

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[3528]具有改善亮度的SMD二極管支架結構一種具有改善亮度的SMD二極管支架結構及封裝構造,包括膠體及多個金屬支架,膠體兩端形成功能區(qū)及凹槽,金屬支架各具有位于膠體中的基部,及延伸出膠體外的接腳部,且基部頂、底面顯露于功能區(qū)及凹槽以形成二極管支架結構。功能區(qū)內的基部頂面可固LED芯片,另--基部底面可固接靜電防護芯片,而LED芯片、靜電防護芯片及基部_上連接有導線,且功能區(qū)覆蓋有diyi封膠,凹槽覆蓋有第二封膠,以構成二極管封裝構造。通過LED芯片固接于功能區(qū)內,而靜電防護芯片固接于凹槽內,使LED芯片的光線能均勻的于功能區(qū)內反射,達到提升亮度均勻化的效果。上海先盛照明電器有限公司致力于提供投光燈,有需求可以來電!天津飛利浦投光燈鎮(zhèn)流器

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除了這種發(fā)光復合外,還有些電子被非發(fā)光中心(這個中心介于導帶、介帶中間附近)捕獲,而后再與空穴的復合,每次釋放的能量不大,不能形成可見光。發(fā)光的復合量相對于非發(fā)光復合量的比例越大,光量子效率越高。由于復合是在少子擴散區(qū)內發(fā)光的,所以光的在靠近PN結面數(shù)μm以內產(chǎn)生。理論和實踐證明,光的峰值波長λ與發(fā)光區(qū)域的半導體材料禁帶寬度Eg有關,即入≈1240/Eg(mm)式中Eg的單位為電子伏特(eV)。若能產(chǎn)生可見光(波長在380nm紫光~780nm紅光),半導體材料的Eg應在3.26~1.63eV之間。北京1688投光燈鎮(zhèn)流器

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